摘要
本申请涉及一种氮化镓功率封装模块，包括：衬板，其上设置有氮化镓芯片；SiMOS芯片，其固定在所述氮化镓芯片上；连接基板，其上集成有磁珠，且所述连接基板固定在所述SiMOS芯片上。该氮化镓功率封装模块及封装方法，将SiMOS芯片直接焊接在氮化镓芯片上，通过直接焊接的方式替代传统键合工艺，可以有效减小寄生电感并提升高频开关性能，同时还能减小两者在衬板上的布局空间，使衬板利用率增大，方便实现多芯片并联，并且通过将磁珠集成到连接基板后再焊接至SiMOS芯片，既减小了高频振荡，又增大了SiMOS芯片的栅极焊接区域，避免了栅极焊接不良，大大提搞了封装模块的可靠性。
