一种提升LED芯片亮度的结构

本发明公开了一种提升LED芯片亮度的结构，涉及LED芯片领域，尤其涉及通过栅格化光学隔离层并通过DBR与栅格化处理的光学隔离层相结合，增强光提取效率，减少光损耗的技术方案。该结构包括：LED芯片中的量子阱层；位于量子阱层上方的透明导电层和光学隔离层；位于光学隔离层上的分布式布拉格反射镜；其中，光学隔离层经过栅格化处理，形成规则的光栅结构，以减少光吸收；通过栅格结构与DBR的结合增大了反射面积。与现有结构相比，本发明实现了对光吸收的有效抑制和光反射效率的提升。