一种高速光通讯的外延芯片结构

本发明公开了一种高速光通讯的外延芯片结构，从下至上依次包括：第一布拉格反射层、N型InP层、第一InAlAs披覆层、第二InAlAs披覆层、P型InP层、P型InGaAsP层、P型InGaAs层以及第二布拉格反射镜层，在第一InAlAs披覆层的下端面上设有氧化物电流隔绝层，在氧化物电流隔绝层的中部设有第一开口区，通过第一开口区露出第一InAlAs披覆层，在开口区中成长一激光器主动层，第二InAlAs披覆层成长于激光器主动层和氧化物电流隔绝层之上。本发明在外延结构中制作氧化物电流隔绝层，可直接有效并稳定地控制电流范围进而实现达成其效能，而且在于高电流密度时，芯片效能亦比使用穿隧式PN结设计更佳。