摘要
本发明涉及激光器技术领域，公开了半导体激光器芯片及其制备方法。半导体激光器芯片包括芯片基体和沟槽结构，芯片基体包括沿第一方向相对的第一腔面和第二腔面；沟槽结构包括沿与第一方向呈预设夹角的第二方向间隔设置、且沿第二方向延伸的第一沟槽和第二沟槽；沟槽结构在第一方向上靠近第一腔面的一端与第一腔面之间具有第一间隔距离，在第一方向上靠近第二腔面的一端与第二腔面之间具有第二间隔距离。本发明中，当芯片基体进行沿第二方向的解理切割形成第一腔面和第二腔面时，解理切割形成的实际断裂面不会接触到第一沟槽和第二沟槽，降低第一腔面和第二腔面上出现严重解理腔纹的概率，提高半导体激光器芯片的良率和可靠性。
