外延结构及制作方法、厚度设计方法、LED芯片和显示装置

本申请提供外延结构及制作方法、厚度设计方法、LED芯片和显示装置。外延结构包括衬底、应力补偿层和外延叠层，衬底包括蓝宝石衬底、硅衬底和碳化硅衬底中的一种，应力补偿层设于衬底的一侧表面，外延叠层包括GaN材料层和I nGaN材料层，外延叠层和应力补偿层位于衬底的同一侧，或者外延叠层和应力补偿层分别位于衬底相对的两侧。该外延结构针对衬底为蓝宝石衬底、硅衬底和碳化硅衬底这三种情况，分别对应设置热膨胀系数不同的应力补偿层，可以有效降低衬底与GaN外延层之间由于巨大的热失配导致不同温度状态下产生的巨大热应力，以及减少热应力导致的外延片裂纹、形变、层内温度不均匀，光电性能均匀性变差的情况，提高器件稳定性、良率和寿命。