一种硅基高密度双端口读写分离静态存储器技术

本发明公开了一种硅基高密度双端口读写分离静态存储器技术，采用读写分离的高存储密度5T1T‑SRAM单元电路结构，属于存储器技术领域。该5T1T‑SRAM单元电路，包括四个NMOS和两个PMOS晶体管，具备独立的读写字线和读写位线。两个PMOS与两个NMOS晶体管组成互补反相器构成存储节点Q、QB；第三个NMOS晶体管负责读取Q存储的数据，第四个NMOS晶体管配合其他晶体管构成写电路，向QB写入数据。本发明兼具8T‑SRAM的高稳定性和抗读干扰特性和6T‑SRAM的存储密度，有助于降低SOC缓存成本。本发明5T1T单元结构适用于可转置读、读写分离、低面积开销等需求的应用场景。