一种半导体斩波器件

本发明公开了一种半导体斩波器件，包括器件散热基板，器件散热基板上设置有第一覆铜陶瓷基板与第二覆铜陶瓷基板，还包括上桥电路和下桥电路；其中，上桥电路包括单个或多个并联的FRD芯片，并联设置在第二覆铜陶瓷基板上或第一覆铜陶瓷基板上或同时设置在第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板上，下桥电路包括多个并联连接的IGBT芯片，一部分IGBT芯片设置在第一覆铜陶瓷基板，另一部分IGBT芯片设置在第二覆铜陶瓷基板上。本发明能够提升斩波能力和功率密度。