一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
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一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
申请号:
CN202510088866
申请日期:
2025-01-21
公开号:
CN119521893A
公开日期:
2025-02-25
类型:
发明专利
摘要
本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法,其中倒装发光二极管芯片的制备方法包括:提供一生长所需的衬底,在衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层;制备N型导电通孔以及隔离道;制备电流扩展层;制备切割道;制备第一绝缘层以及第一绝缘层通孔;制备P型导电金属层;制备第二绝缘层以及第二绝缘层通孔;制备N型导电金属层;制备第三绝缘层以及第三绝缘层通孔;制备N型焊盘以及P型焊盘。
技术关键词
倒装发光二极管芯片
导电金属层
电流扩展层
半导体层
通孔
电感耦合等离子体
P型焊盘
SiO2薄膜
有源发光层
负性光刻胶
刻蚀工艺
涂布光刻胶
表面涂布
氧化铟锡表面
显影工艺
Al2O3薄膜
电子束
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