一种门极电阻、SiC功率模块及动态均流控制方法

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一种门极电阻、SiC功率模块及动态均流控制方法
申请号:CN202410780730
申请日期:2024-06-18
公开号:CN118367905A
公开日期:2024-07-19
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种门极电阻、SiC功率模块及动态均流控制方法,涉及功率电子器件技术领域,包括:金属层;绝缘层,设置在所述金属层的上方;第一回路金属层,设置在所述绝缘层的上方;第二回路金属层,设置在所述绝缘层的上方,且与所述第一回路金属层不接触;第三回路金属层,设置在所述绝缘层的上方,且与所述第一回路金属层和第二回路金属层均不接触;电阻,设置在所述第二回路金属层和第三回路金属层之间,并与所述第二回路金属层和第三回路金属层接触。本发明中的上述方案能够提高SiC功率模块的性能和可靠性。
技术关键词
SiC功率模块 动态均流控制方法 回路 功率电子器件技术 功率单元 栅极 金属条 芯片 可调电阻 内阻 基板 电感 电容 激光
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