功率半导体器件

本实用新型提供了功率半导体器件，包括：半导体结构，包括半导体芯片、线圈结构、第一极座和第二极座，半导体芯片连接在第一极座和第二极座之间，线圈结构设置在第一极座上；门极驱动取能单元，设置在半导体结构的外部，并与线圈结构电连接；电流检测单元，设置在半导体结构的外部，并与线圈结构电连接。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的控制功率半导体器件的通断的单元需要进行外部供电的问题。