一种高效转换的MOSFET封装结构

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一种高效转换的MOSFET封装结构
申请号:CN202511535342
申请日期:2025-10-27
公开号:CN121035092A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种高效转换的MOSFET封装结构,包括基岛,其一侧向外延伸出管脚,另一侧设有栅极、控制模块管脚组和源极管脚。MOSFET固设于基岛上,各个焊窗与相对应的管脚连接;ASIC芯片与绝基岛绝缘固接,ASIC信号输出引脚与MOSFET栅极焊窗连接,ASIC供电引脚与控制模块管脚组连接,信号输入引脚与栅极管脚连接。本发明采用ASIC芯片和MOSFET设置在一个封装体内,外部信号到ASIC芯片后,通过ASIC芯片对MOSFET栅极信号进行控制,提供理想信号电压,缩短MOSFET寄生电容充电时间,令MOSFET能在更短的时间内变化通断状态,提高MOSFET的开关效率,降低器件损耗。
技术关键词
ASIC芯片 管脚 封装结构 控制模块 绝缘组件 MOSFET栅极 栅极信号 外延 损耗 开关 电压