一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法

本发明公开了一种改善等径生长速率的单晶硅棒拉制方法，涉及硅棒制备技术领域，包括：手动控制模式下开启参数栏显示功能，核对相关参数，结合生长记录确定坩埚下限位，计算得到临界埚位和放置埚位，设定参数，调整坩埚位置且确保液面不接触导流筒，观察捕捉是否正常，捕捉正常则开启字幕，执行液口距标定操作，判断标定是否成功，标定成功后，检查液口距参数是否在正常范围内，若在则调整坩埚位置，将引放液口距从初始值调整至目标值，判断放置引放液口距条件是否满足，满足则记录液口距参数。该方法通过调整热屏连接环与硅液液面之间的引放液口距，优化热场的热传导效率，从而提升等径生长速率，有效降低硅片成本。