一种高压LED芯片结构及发光元件
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一种高压LED芯片结构及发光元件
申请号:
CN202511139048
申请日期:
2025-08-14
公开号:
CN120981061A
公开日期:
2025-11-18
类型:
发明专利
摘要
本公开提供了一种高压LED芯片结构及发光元件,由底层至顶层依次包括半导体层、第一绝缘层、电极层、第二绝缘层及焊盘电极,电极层包含第一、第二和第三电极。通过刻蚀形成的半导体层将多个LED发光单元彼此隔离;第一电极实现相邻单元间的电性串联;第二、第三电极分别沿电流起始与终止方向延伸,实现多点注入与释放。配合绝缘层开口与焊盘连接,可有效降低局部电流拥堵,提升封装兼容性和热可靠性,且无需新增制程工艺。
技术关键词
半导体层
电极
金属导电层
LED发光单元
LED芯片
发光元件
布拉格
刻蚀沟槽
隔离沟槽
焊盘
导电凸块
芯片结构
密封单元
发光层