摘要
本发明涉及单晶硅拉制技术领域,尤其涉及一种基于高温时间调控的锑挥发量控制方法,包括:获取各预设温控阶段的锑挥发量阈值以及阶段温度特征;针对每个温控阶段,将锑挥发量阈值和阶段温度特征输入至预设的温控时长评估模型,获得该温控阶段的控温时长;获取各温控阶段的拉制作业实时工况,并对其进行挥发影响分析,获得实时挥发速率;基于实时挥发速率和控温时长,计算得到该温控阶段对应的实时锑挥发量;响应于实时锑挥发量大于锑挥发量阈值,计算二者之间的挥发量溢值,以此确定当前温控阶段和/或后续温控阶段的挥发量控制策略,并执行。其实现挥发量异常的精准识别与针对性调控。