集成宽SOA单元的SGT MOSFET senseFET的设计方法

本发明涉及半导体功率器件技术领域，公开了集成宽SOA单元的SGT MOSFET senseFET的设计方法，在基板上布置主芯片，主芯片包括芯片一、芯片二、芯片三和微型senseFET探头，微型senseFET探头布置在基板的中心位置；在芯片一、芯片二、芯片三的周围设置多个沟槽防护环以防止各芯片与微型senseFET探头之间的横向漏电流的流动；微型senseFET探头与主芯片并联，即微型senseFET探头与主芯片具有相同的栅极和漏极，但有不同的源极。微型senseFET探头与主芯片同步启闭；通过对微型senseFET电流的检测，实现了对主芯片过大电流的保护；通过对主芯片的电压监测，实现了对主芯片的过高电压的保护。制备的微型SGT senseFET在达到上述目的同时在主芯片中集成了宽SOA单元，进一步增强了器件的SOA性能，以便SGT senseFET可以工作在线性区(大电流和高电压区)。