一种高精度半导体测试分选方法及设备

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一种高精度半导体测试分选方法及设备
申请号:CN202511078675
申请日期:2025-08-01
公开号:CN120714921A
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种高精度半导体测试分选方法及设备,属于半导体测试技术领域,包括:执行目标芯片的测试流程,将测试合格的目标芯片记为目标打标芯片,分析激光打标能量波动表征参量,确定激光打标系统的第一执行路径,结合激光打标能量波动表征参量执行激光打标系统的自适应调节,并在调节完成后分析激光打标系统的第二执行路径,分析激光打标碳化表征参量,确定激光打标系统的第三执行路径。本发明能够对激光打标过程中能量波动与碳化质量实现实时监测与动态调节,不仅提升了对打标异常的响应速度与调控精度,还有效避免了因激光参数漂移导致的误判或良品变NG问题,从而显著增强了整机测试分选过程的稳定性、良率与自动化水平。
技术关键词
激光打标系统 高精度半导体 测试分选方法 偏差 因子 测试机构 拉普拉斯 上料机构 测试分选设备 半导体测试技术 功率 参数 频率 脉冲 半导体芯片 图像 强度 信号
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