一种半导体封装器件电磁兼容综合测试方法及系统

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一种半导体封装器件电磁兼容综合测试方法及系统
申请号:CN202511043341
申请日期:2025-07-28
公开号:CN120559367A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体封装器件电磁兼容综合测试方法及系统,属于电磁兼容测试技术领域,采集待测封装器件的结构参数、封装拓扑及预定义功能状态,构建多态工作模型;根据各状态建立扰动注入控制模型并配置扰动源参数;在器件真实工作状态下实施动态扰动注入并采集响应数据;对响应数据进行时间域与频域联合分析,构建电磁响应动态特征序列并输入机器学习模型,提取多维耦合特征并预测容限;基于模型输出指标计算干扰容差评分、耦合强度指数等性能指标,并与标准对比,评估全状态下的兼容风险等级;该方法实现了高还原度、多状态覆盖的封装器件EMC性能定量评估,具有测试全面、预测精确、归因可解释等优点。
技术关键词
半导体封装器件 综合测试方法 机器学习模型 耦合特征提取 参数 电磁兼容测试技术 序列 动态时间规整算法 高分辨率结构 综合测试系统 封装层结构 风险 多状态 封装结构 转移概率矩阵 数据