MOS晶体管的封装级测试方法及装置

本发明涉及MOS晶体管技术领域，公开了一种MOS晶体管的封装级测试方法及装置。该方法：对封装MOS晶体管施加多频率脉冲信号，得到不同频率下的MOS晶体管响应数据；对所述MOS晶体管响应数据进行参数同步采集，得到原始测试数据；对所述原始测试数据执行封装寄生效应补偿处理，得到校正测试数据；对所述校正测试数据进行信号特征分解，得到MOS晶体管的特征参数集；基于所述特征参数集进行封装缺陷分析，得到缺陷识别报告。本发明可以提前识别导致器件失效的隐患，极大提高高功率应用的安全性。