一种多工位薄膜沉积工艺均匀性的提升方法及系统

本发明公开了一种多工位薄膜沉积工艺均匀性的提升方法及系统，涉及半导体芯片制造技术领域；其方法包括包括：根据各工位的沉膜厚度差异性，获取每个调节支路的Ki值；将每个调节支路的Ki值添加至PECVD设备RECIPE参数中；获取陶瓷电容阵列的并联总电容值及最小容值；基于每个调节支路的Ki值、并联总电容值、最小容值得到对应的电子开关状态值M；将电子开关状态值M转换为二进制形式，根据二进制位设置相应的电子开关状态，得到该调节支路所需的调节阻抗；通过调节阻抗动态调整对应的支路负载上施加的射频功率，进而优化不同工位间的等离子体分布均匀性，最终实现多工位薄膜沉积工艺均匀性的整体提升。