基于双金属布拉格光栅和顶部SiO2波导层的激光器

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为基于双金属布拉格光栅和顶部SiO2波导层的激光器，包括：增益芯片，所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜，所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜；所述增益芯片右侧设置有金属布拉格光栅波导，所述增益芯片的右端面与所述金属布拉格光栅波导的左端面对准贴合形成外腔结构，所述金属布拉格光栅波导左端面镀设有第二增透AR膜，所述金属布拉格光栅波导右端面镀设有第三增透AR膜。本发明进行温变测试，在‑40℃至85℃范围内，波长漂移控制在±0.002nm；性能测试结果显示：线宽为0.6kHz，SMSR为65dB，阈值电流为22mA。