摘要
本发明提供一种带DNW隔离结构的NMOS器件六端模型的提取方法，所述方法包括：设计NMOS器件结构；测量NMOS结构获得电性测试参数；建立初始NMOS模型；进行第一次曲线拟合；判断曲线拟合是否合格；若合格，则建立NMOS结构的失配模型；设计不同尺寸的DNW结构；测量寄生二极管的C‑V曲线和I‑V曲线；建立初始的二极管模型；进行第二次曲线拟合；判断曲线拟合是否合格；若合格，则得到带DNW隔离结构的六端NMOS结构的电压值、电流值和电容值失配模型，并进行验证。本发明通过LVS提取寄生二极管的面积与周长建立初始的二极管模型，从而准确反映版图差异带来的模型特性差异，提高器件模型的准确度。
