一种提升发光效率的发光二极管单晶生长制备方法

本申请提供了一种提升发光效率的发光二极管单晶生长制备方法，涉及半导体芯片制作技术领域，包括S1：对衬底进行脱附处理；S2：在衬底的顶部依次单晶生长缓冲层、非掺杂GaN层和n型GaN层；S3：在n型GaN层中单晶生长InGaN/GaN多量子阱层；S4：在InGaN/GaN多量子阱层上单晶生长AlGaN电子阻挡层；S5：在AlGaN电子阻挡层上单晶生长P型GaN层；在InGaN/GaN多量子阱层内部形成多个V形坑；其技术要点为：通过控制单晶生长InGaN/GaN多量子阱层过程中，于InGaN/GaN多量子阱层内部形成多个V形坑，可以减少V形坑附近的位错吸收量子阱发出的光，进而可以减少非辐射复合，有利于提高发光效率。