半导体封装结构及其制备方法

本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，通过采用陶瓷封装芯板作为基础支撑，并在陶瓷基板上形成第一凹槽并在其下方形成第一通孔，将第一芯片正面朝下嵌入第一凹槽内，并通过第一通孔内的第一金属层实现与第一芯片的键合连接，提高了布线密度和集成度，通过形成多层增层结构并在外增层中设置第二凹槽并嵌入第二芯片，在上层布线结构上形成金属柱并将第三芯片与金属柱键合连接。该制备方法实现了多芯片与陶瓷芯板系统的3D整合，有效解决了高叠层数封装基板的翘曲变形问题，显著提升了封装结构的导热性能，同时在陶瓷芯板上嵌入芯片提升布线密度，通过多芯片封装极大的提升陶瓷芯板结构的集成度以及性能表现。