数据写入电路及存储器芯片

本发明提供了一种数据写入电路及存储器芯片，在现有的数据写入电路的架构基础上，将耦接DRAM或PSRAM等存储器的数据输入节点IO的单端传输电路替换为双端传输电路(其具有单个数据输入端和两个数据输出端)，由此在双端传输电路导通时，能通过快速下拉该存储器的LIOT节点或LIOB节点的电位来快速下拉第一位线节点bla或第二位线节点blb的电位，使第一位线节点bla和第二位线节点blb能快速分开更大的压差，进而提高了向该存储器的存储单元中写“0”和写“1”的速度，并大大减小向该存储器写“0”和写“1”时的速度差异(可以使写“0”和写“1”的速度大致相同)，进而提高了该存储器的性能，使其满足更高性能产品的需求。