一种存储芯片和存储芯片的制备方法
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一种存储芯片和存储芯片的制备方法
申请号:
CN202510482525
申请日期:
2025-04-16
公开号:
CN120676642A
公开日期:
2025-09-19
类型:
发明专利
摘要
本发明提供一种存储芯片和存储芯片的制备方法,本发明提供的存储芯片包括:衬底和设置于所述衬底上的存储层和控制层,所述存储层和所述控制层设置于不同平面上,且在所述衬底上的投影至少部分重叠;所述存储层包括若干存储单元,所述控制层包括若干控制单元,所述控制单元连接所述存储单元,控制所述存储单元进行读写操作;所述存储层包括磁阻随机存取存储器;所述控制层包括晶体管;所述衬底、所述存储层和所述控制层构成同一晶圆。该存储芯片具有低功耗、速度快,高可靠性的特点。
技术关键词
碳纳米管晶体管
存储芯片
控制单元
磁阻随机存取存储器
衬底
存储单元
存储组件
散热层
晶圆
二维材料
传感
低功耗
介质
层叠
包裹
速度