一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路

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一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路
申请号:CN202510234333
申请日期:2025-02-28
公开号:CN119995327A
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路。本发明分别在高/低侧驱动电路内设置上/下桥臂串扰抑制电路;上桥臂串扰抑制电路在功率管开启时吸收高侧驱动电路内(正向)电压尖峰串扰,在功率管关断时吸收高侧驱动电路内(负向)电压尖峰串扰;下桥臂串扰抑制电路在功率管开启时吸收低侧驱动电路内(正向)电压尖峰串扰,在功率管关断时吸收低侧驱动电路内(负向)电压尖峰串扰。本发明有效抑制了上/下桥臂串扰,保护了GaN HEMT功率器件的栅极,提高了GaN HEMT半桥驱动电路的可靠性。
技术关键词
功率管 晶体管 串扰抑制电路 低侧驱动电路 关断 高侧驱动电路 栅极电路 电阻 二极管 信号 栅极驱动芯片 氮化镓开关 速度 电容 电压 工作周期 功率器件
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