一种Mini-LED芯片及其制造方法

本申请实施例提供了一种Mini‑LED芯片及其制造方法，方法包括：获取待键合结构，待键合结构包括外延结构层和第一目标厚度的键合层，以第一目标厚度的键合层朝向透明衬底的方向键合待键合结构和透明衬底，刻蚀第一类型层和有源层以及位于切割道区域的第二目标厚度的键合层，形成台阶结构，台阶结构包括第一层台阶和第二层台阶，第一层台阶包括第一类型层和有源层，第二层台阶包括第二类型层和第一目标厚度的键合层，形成分布式布拉格反射层以及电极；切割暴露在切割道区域的透明衬底，形成多个次毫米发光二极管Mini‑LED芯片，由于切割道区域不存在厚度较厚的键合层，仅切割透明衬底能够大大降低切割形成Mini‑LED芯片时的崩边概率，从而提高Mini‑LED芯片的切割良率。