闪存芯片的读重试方法、设备及存储介质

本申请公开了一种闪存芯片的读重试方法、设备及存储介质，属于数据处理技术领域。该方法包括：在触发闪存芯片的读重试进程后，确定触发读重试进程的误码率和/或读感知电压，将触发误码率和/或读感知电压，输入闪存芯片对应的读取偏移量模型，并获取读取偏移量模型输出的重试电压，通过重试电压对闪存芯片进行读重试，并基于读重试结果调整重试电压，在读重试结果为成功时，基于对应的重试电压，更新读感知电压并保存。本申请通过为不同闪存芯片型号设置对应的读取偏移量模型，为读重试选取重试电压，降低读重试成功所需要的重试次数，提高闪存芯片使用寿命。