DRAM的读写时长检测方法、装置、设备和计算机可读介质
申请号:CN202411972361
申请日期:2024-12-30
公开号:CN120048320A
公开日期:2025-05-27
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种DRAM的读写时长检测方法、装置、设备和计算机可读介质,该方法包括分配目标地址的预设容量的缓冲区用于读写速度检测;进行预设次数的读写操作,并记录每次读写操作的起止时间;根据所述起止时间确定读写时长,并对所述读写时长进行筛分。该实施方式通过在缓冲区的预设容量的目标地址进行读写速度检测,能够针对不同地址以及不同容量的情景下,对读写速度进行检测,使得检测结果更具针对性。通过进行多次的读写操作,获取每次操作的读写时长,在对上述读写时长进行筛分,从而提高检测的准确性。
技术关键词
人工智能芯片
机器学习模型
处理器
曲线
计算机程序产品
样本
数值
分配单元
记录单元
速度
存储装置
时序
介质
关系
电子设备
情景
数据
标记