半导体器件和半导体器件的制备方法

一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括衬底，衬底上具有存储器件区和保护器件区，保护器件区环绕存储器件区，保护器件区中包含第一掺杂类型的掺杂离子；存储器件，多个存储器件在存储器件区内，沿垂直于衬底的方向上堆叠设置；保护接触，保护接触与保护器件区连接，保护接触包含第二掺杂类型的掺杂离子，保护接触环绕所述存储器件；其中，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反。保护接触和保护器件区共同作用可以使等离子体诱导产生的电荷释放掉，解决天线效应对芯片制程中的影响，同时保护器件区环绕存储器件区，不会占用存储器件面积，可以提高存储密度，还可以对存储器件起到一定的保护作用。