一种碳化硅衬底抛光片坑点缺陷的检测方法

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一种碳化硅衬底抛光片坑点缺陷的检测方法
申请号:CN202411651768
申请日期:2024-11-19
公开号:CN119601482A
公开日期:2025-03-11
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种碳化硅衬底抛光片坑点缺陷的检测方法,包括上料,机械传送、寻边、OCR识别、传送至检测台、第一次反射光源检测和透射光源检测、第二次反射光源检测和数据分析;第一次光源反射检测包括:使用反射光源照射碳化硅衬底抛光片的上表面,收集反射光信号和散射光信号;透射光源检测包括:使用透射光经过起偏器从碳化硅衬底抛光面的下表面入射、上表面射出后经过检偏器,收集透射光信号;第二次反射光源检测:将碳化硅衬底抛光片的下表面遮挡,使光线无法穿透,然后使用反射光源照射碳化硅衬底抛光片的上表面,收集反射光信号和散射光信号。本发明中的检测方法能够提高坑点缺陷检测的精度、效率和可靠性。
技术关键词
碳化硅衬底 抛光片 光源 散射光 反射光 透射光 检偏器 信号 检测台 邻域 图像处理 比率 上料 像素 尺寸 物镜 机械 应力 算法