一种用于IGBT器件的缺陷状态评估方法及装置

本公开提供了一种用于IGBT器件的缺陷状态评估方法及装置，涉及IGBT运行状态监控技术领域，响应于IGBT器件关断，确定所述IGBT器件在预设时间段内的实际集电极电流最大值；根据所述IGBT器件的实际集电极电流最大值和预先确定的所述IGBT器件的理论集电极电流最大值，确定所述IGBT器件的通流能力系数；根据所述通流能力系数，评估所述IGBT器件的缺陷状态。本申请能够通过观测IGBT器件集电极电流幅值(ICM)估计IGBT芯片键合线脱落或电极接触异常等缺陷状态，对于IGBT缺陷状态监测及分析具有指导意义。