一种基于栅源并联支路的SiC驱动振荡抑制电路

本发明提供了一种基于栅源并联支路的SiC驱动振荡抑制电路，属于功率半导体器件及其驱动技术领域。其技术方案为：通过在SiC MOSFET栅源引入并联支路，以在栅极驱动路径中加入适当的阻尼，抑制振荡。同时，根据开关过程线性等效电路的传递函数表达式构成适应度函数，利用粒子群算法，设计该并联支路的电路参数，进一步缩短开关过渡时间，提高开关频率，减少开关损耗。