齐纳二极管的仿真模型及方法

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齐纳二极管的仿真模型及方法
申请号:CN202410825463
申请日期:2024-06-24
公开号:CN118821696A
公开日期:2024-10-22
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种齐纳二极管的仿真模型及方法,模型包括:齐纳二极管的反向击穿阻抗的第一端接齐纳二极管的发射极,第二端接第一电压源的正极;第一电压源的负极接电压控制电流源的正极,电压控制电流源的负极接齐纳二极管的基极,齐纳二极管的基极还接第二电压源的正极,第二电压源的负极接第一电流控制电流源的正极;第一电流控制电流源的负极接齐纳二极管的集电极,齐纳二极管的集电极还接第二电流控制电流源的正极,第二电流控制电流源的负极接齐纳二极管的集电极。本发明能仿真到PN结的反向击穿特性和反向隧穿漏电流,还能仿真到阳极和阴极的击穿电流以及第三端口集电极和第四端口的N型衬底在击穿电压点的电流。
技术关键词
齐纳二极管 浅沟槽隔离结构 仿真方法 N型衬底 仿真模型 二极管反向 负极 电压控制电流源 阴极 阳极 P型埋层 指数 曲线 节点 端口